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VBGMB1103 产品详细

产品简介:

VBGMB1103是一款单N沟道MOSFET,具有100V的漏极-源极电压耐受能力。其特点包括低门源压降(Vth=3V)、极低的导通电阻(最低可达2.9mΩ),采用SGT技术制造,封装为TO220F。适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电动车电源模块、工业自动化设备、太阳能逆变器和家用电器控制模块等。

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产品参数:

产品型号:VBGMB1103
品牌:VBsemi
参数:
- 电压参数:
- VDS(V):100V
- VGS(±V):20V
- Vth(V):3V
- 电阻参数:
- VGS=10V时的导通电阻:2.9mΩ
- 最大电流:80A
- 技术:SGT
封装:TO220F

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电动车电源模块**:VBGMB1103适用于电动车电源模块中的功率开关,能够在高压高电流的情况下提供稳定的电源输出,确保电动车系统的高效工作和安全性。

2. **工业自动化设备**:在工业自动化领域,VBGMB1103可用作工业设备中的电源开关元件,例如电机控制器、变频器等,能够提供稳定的功率输出和电流控制,确保设备的稳定运行。

3. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统中,VBGMB1103可用作逆变器的关键部件,用于将直流太阳能电池板产生的电能转换为交流电,其高电压耐受能力和低导通电阻特性确保了逆变器的稳定性和效率。

4. **家用电器控制模块**:作为家用电器控制模块中的功率开关,VBGMB1103可用于控制家用电器如空调、洗衣机等的启停和电源调节,提高了家电的能效和使用便捷性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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