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VBGMB1101M 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBGMB1101M是一款单N沟道功率MOSFET,采用SGT技术,适用于各种中低功率功率电子应用。具有110V的最大漏极-源极电压和12A的最大漏极电流,特别适合于要求较高的电源和驱动器应用。

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产品参数:

**参数:**
- **类型:** Single N
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 110V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 3.5V
- **在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ):** 145mΩ
- **最大漏极电流 (ID):** 12A
- **技术:** SGT
- **封装:** TO220F

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. **家用电器模块:**
VBGMB1101M可用作家用电器模块中的功率开关,如电视、空调、冰箱等。其110V的最大漏极-源极电压和12A的最大漏极电流能够满足家电的驱动需求,同时采用的SGT技术有助于提高稳定性和效率,适用于各种家用电器的控制模块。

2. **电源逆变器模块:**
在电源逆变器中,VBGMB1101M可用作功率开关器件,将直流电转换为交流电以供应急电源和备用电源使用。其110V的最大漏极-源极电压和12A的最大漏极电流能够支持中小型逆变器的运行,适用于家庭和商业场所的应急电源系统。

3. **工业自动化控制模块:**
作为工业自动化控制模块中的功率开关器件,VBGMB1101M能够提供稳定可靠的功率输出,用于控制各种工业设备和机械。其110V的最大漏极-源极电压和12A的最大漏极电流适用于中小型工业控制系统,例如输送带、机器人等的控制模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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