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VBGM1231N 产品详细

产品简介:

VBGM1231N是一款单N沟道场效应晶体管,具有230V的额定漏极-源极电压和90A的漏极电流。其高性能特性使其适用于高功率的开关和控制应用。

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产品参数:

**参数说明:**
- 产品型号: VBGM1231N
- 品牌: VBsemi
- 类型: 单N沟道场效应晶体管 (Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS): 230V
- 栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极电阻: 13mΩ
- 漏极电流(ID): 90A
- 技术:SGT (Silicon-Germanium Trench)
- 封装:TO220

领域和模块应用:

**示例应用场景及模块:**

1. **工业电机驱动模块:**
在工业电机驱动模块中,VBGM1231N可用作高功率电机的驱动器。它可以控制工业电机的启停、速度和转向,广泛应用于机械设备、生产线等工业领域。

2. **电动车辆模块:**
在电动车辆模块中,VBGM1231N可用作电动车辆的功率开关和驱动器。它可以控制电动车辆的电池充放电过程,以及电动机的启停和转速控制。

3. **电源开关模块:**
在电源开关模块中,VBGM1231N可用作高功率开关器件,用于控制电源的输出和电流调节。例如,在大功率电源逆变器中,它可以控制逆变器的开关频率和输出功率。

4. **太阳能逆变器模块:**
在太阳能逆变器模块中,VBGM1231N可用作逆变器的主要功率开关,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。它可以控制逆变器的输出功率和频率,以及对电网的接入。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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