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VBGM11203 产品详细

产品简介:


该产品适用于单N型晶体管,具有120V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为3.5mΩ。最大漏极电流为120A。采用SGT技术,封装为TO220。

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产品参数:

参数:
- 晶体管类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):120V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):3.5
- 最大漏极电流(ID):120A
- 技术:SGT(Single Gate Transistor,单栅晶体管)
封装:TO220

领域和模块应用:

**应用简介和示例**:

1. **电源模块**:由于VBGM11203具有较高的漏极-源极电压和电流特性,可用于电源模块中的功率开关电路。例如,可用于直流稳压器、电源逆变器等设备中。

2. **电动车控制器**:该晶体管适用于电动车控制器中的驱动电路。其高漏极-源极电压和电流能够满足电动车的动力需求,同时其低漏极-源极电阻可提高系统效率。

3. **工业电子设备**:在工业领域,VBGM11203可用于各种工业电子设备中的功率开关电路,如变频器、电焊机、UPS等,以实现高效的能源转换和功率控制。

4. **太阳能逆变器**:由于该晶体管具有高额定电压和电流特性,适用于太阳能逆变器中的直流-交流转换电路,实现太阳能电池板的输出电能转换为交流电能供给电网或负载使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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