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VBGM11152N 产品详细

产品简介:

VBGM11152N是一款高性能的单N沟道场效应晶体管,适用于电源模块、电动车电控模块和工业控制模块等领域,能够为这些领域提供稳定、高效的电源管理和功率控制解决方案。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品类型:Single N沟道场效应晶体管(Single N-MOSFET)
- 最大漏极-源极电压(VDS):150V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):21
- 最大漏极电流(ID):60A
- 技术:SGT(Silicon Gate Technology)
- 封装:TO220

领域和模块应用:


其特点包括较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,以及较高的漏极-源极电阻,使其在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. 电源模块:VBGM11152N适用于电源模块中的开关电源、DC-DC转换器和逆变器等部分。其高漏极-源极电压和电流特性能够确保模块的稳定、高效工作,同时较高的漏极-源极电阻可降低功耗和损耗。

2. 电动车电控模块:在电动车电控模块中,VBGM11152N可用于控制电机驱动、电池管理和充电管理等部分。其高电流和电压能力可以满足电动车高功率和高性能的需求,同时TO220封装可以提供良好的散热性能。

3. 工业控制模块:在工业控制领域,VBGM11152N可用于工业控制系统中的电源管理、驱动控制和功率调节等模块。其可靠的性能和高功率处理能力使其成为工业控制模块中的重要组成部分,提高系统的可靠性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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