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VBGM1101N 产品详细

产品简介:


- **Single N**: 单N沟道场效应晶体管。
- **VDS(V)**: 最大漏极-源极电压为100V。
- **VGS(±V)**: 门极-源极电压为±20V。
- **Vth(V)**: 阈值电压为2.5V。
- **VGS=4.5V(mΩ)**: 当门极-源极电压为4.5V时,导通状态下的导通电阻为11mΩ。
- **VGS=10V(mΩ)**: 当门极-源极电压为10V时,导通状态下的导通电阻为9mΩ。
- **ID (A)**: 最大漏极电流为65A。
- **Technology**: 采用SGT(Super-Grain Technology)技术制造。
- **封装**: 使用TO220封装。

VBGM1101N场效应晶体管适用于需要高电压、大电流和高效能力的应用,包括电动汽车、电源管理和工业控制等领域的模块设计。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V): 100
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 2.5
- VGS=4.5V(mΩ): 11
- VGS=10V(mΩ): 9
- ID (A): 65
- Technology: SGT
封装: TO220

领域和模块应用:

应用简介:
VBGM1101N是一款性能优异的场效应晶体管,适用于各种领域和模块,具有以下特点:
1. **电动汽车**: 由于其高电压、大电流和低导通电阻,VBGM1101N可用于电动汽车的功率模块,例如电机驱动器和电动车辆控制器,可实现高效的电动汽车驱动系统。
2. **电源管理**: 在电源管理模块中,需要高效的功率开关器件来实现电能的转换和管理。VBGM1101N可用于设计和制造功率开关、稳压器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电源输出。
3. **工业控制**: 在工业控制领域,需要能够承受高压和大电流的功率开关器件来实现精确的控制和调节。VBGM1101N的性能特点使其成为工业电源、电机驱动器和可编程逻辑控制器(PLC)等设备中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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