- **Single N**: 单N沟道场效应晶体管。
- **VDS(V)**: 最大漏极-源极电压为100V。
- **VGS(±V)**: 门极-源极电压为±20V。
- **Vth(V)**: 阈值电压为2.5V。
- **VGS=4.5V(mΩ)**: 当门极-源极电压为4.5V时，导通状态下的导通电阻为11mΩ。
- **VGS=10V(mΩ)**: 当门极-源极电压为10V时，导通状态下的导通电阻为9mΩ。
- **ID (A)**: 最大漏极电流为65A。
- **Technology**: 采用SGT（Super-Grain Technology）技术制造。
- **封装**: 使用TO220封装。

VBGM1101N场效应晶体管适用于需要高电压、大电流和高效能力的应用，包括电动汽车、电源管理和工业控制等领域的模块设计。