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VBGL1805 产品详细

产品简介:

VBGL1805是一款单N沟道功率MOSFET,具有高压、高电流的特点,适用于高功率、高频率的应用场合。采用SGT技术,具有低导通电阻和高频特性,适合要求高效率、高可靠性的电路应用。

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产品参数:

参数:
- 结构:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):80V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 栅极-源极电阻(VGS=10V):4.4 mΩ
- 额定漏极电流(ID):120A
- 技术:SGT
- 封装:TO263

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源模块:由于VBGL1805具有高额定漏极电压和大额定漏极电流,适合用于开关电源模块中的开关管,如用于工业电源、通信设备等。
2. 电动车控制模块:在电动车控制系统中,VBGL1805可以作为驱动电机的开关管,用于控制电机的启停和速度调节,保证电动车的稳定性和性能。
3. 气体放电模块:在气体放电器件中,VBGL1805可以作为高压开关管,用于控制气体放电过程,如用于气体放电灯、气体放电显示器等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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