该产品采用的SGT技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,具备的高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高频率和高温要求,提高工业生产效率和控制精度。
参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):200V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):4V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极电阻(mΩ):11
- 最大漏极电流(ID):100A
- 技术:SGT
封装:TO263
该产品适用于以下领域和模块:
1. **电力电子转换器**:
VBGL1201N适用于电力电子转换器中的功率开关模块,如逆变器、变频器等。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低漏极电阻,能够实现高效的能量转换和稳定的电力输出,广泛应用于工业、通信、医疗等领域。
2. **太阳能逆变器**:
由于VBGL1201N具有优异的功率特性和高效的能量转换能力,可用于太阳能逆变器中的功率开关模块。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及SGT技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,提高太阳能发电系统的整体效率。
3. **电动汽车电力系统**:
该型号MOSFET适用于电动汽车电力系统中的控制模块,如电机驱动器、电池管理系统等。其高功率和可靠性能够满足电动汽车对电力系统的高压、高电流要求,实现电动汽车的高效驱动和长续航里程。
4. **工业自动化控制**:
VBGL1201N可以用于工业自动化控制系统中的电力控制模块,如电机驱动、变频器等。其高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高频率和高温要求,提高工业生产效率和控制精度。
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