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VBGL11205 产品详细

产品简介:

该产品为单通道N型MOS场效应管(Single N MOSFET),适用于工作在120V的电路中。其栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,漏极-源极导通电阻在VGS=10V时为4.4mΩ,漏极电流(ID)额定为130A。采用SGT技术,具有高性能和稳定性。封装形式为TO263,易于安装和散热。

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产品参数:

参数:
- MOSFET类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):120V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):4.4
- 漏极电流(ID):130A
- 技术:SGT(Single Gate Technology)
封装:TO263

领域和模块应用:


**应用简介及示例:**
1. **电动车电源模块:** 由于VBGL11205具有较高的额定漏极-源极电压和漏极电流,适合用于电动车电源模块中的直流-直流变换器(DC-DC converters)和逆变器(inverters)。其低导通电阻和高电流特性使其能够有效地控制电动车中的电能流动,并且TO263封装形式有利于散热。

2. **工业自动化控制模块:** 在工业自动化控制领域,VBGL11205可用于电机驱动、电源管理和电力逆变等模块中。其高电压和电流特性能够满足工业设备对电能转换和控制的要求,同时TO263封装形式适用于工业环境中的安装和散热需求。

3. **太阳能逆变器模块:** 太阳能逆变器需要处理高电压和大电流,而VBGL11205的参数符合这些要求。它可用于太阳能逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。TO263封装形式适用于户外环境的安装,并能有效散热,保证逆变器的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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