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VBGL1105 产品详细

产品简介:

VBGL1105 是一款单通道 N 型 MOSFET,具有 100V 的饱和漏源电压和标准的 ±20V 门源电压范围。其阈值电压为 3V,门源电压为 10V 时的漏极-源极导通电阻为 4mΩ。最大漏极电流为 125A,采用了 SGT 技术,封装为 TO263。

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产品参数:

**参数:**
- **Single N**: 单通道 N 型 MOSFET
- **VDS(V)**: 饱和漏源电压 100V
- **VGS(±V)**: 标准门源电压范围 ±20V
- **Vth(V)**: 阈值电压 3V
- **VGS=10V(mΩ)**: 门源电压为 10V 时的漏极-源极导通电阻 4mΩ
- **ID (A)**: 最大漏极电流 125A
- **Technology:** SGT
- **封装:** TO263

领域和模块应用:

**应用简介及示例:**
1. **电机驱动器应用:**
VBGL1105 可以用作电机控制电路中的开关器件,用于控制电机的启停和速度调节。其高漏极电流能力和低导通电阻可确保电机驱动器具有较高的功率密度和响应速度,适用于各种电机驱动应用,如电动车控制、工业机械驱动等。

2. **电源管理模块应用:**
在电源管理模块中,VBGL1105 可用作电源开关、稳压器等电路中的关键器件,用于实现电源管理和稳定输出。其高饱和漏源电压和低导通电阻特性有助于提高电源管理模块的效率和稳定性,适用于各种电子设备的电源管理需求,如笔记本电脑、通信设备等。

3. **电动汽车电池管理系统应用:**
在电动汽车的电池管理系统中,VBGL1105 可以作为电池保护电路中的关键元件,用于控制电池的充放电和保护。其高漏极电流能力和低导通电阻可确保电池系统具有良好的充放电性能和安全性,适用于电动汽车、混合动力车等领域的电池管理系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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