VBGL1103是一款性能可靠的场效应晶体管，，详细参数说明:
- **Single N**: 单N沟道场效应晶体管。
- **VDS(V)**: 最大漏极-源极电压为100V。
- **VGS(±V)**: 门极-源极电压为±20V。
- **Vth(V)**: 阈值电压为3V。
- **VGS=10V(mΩ)**: 当门极-源极电压为10V时，导通状态下的导通电阻为3.7mΩ。
- **ID (A)**: 最大漏极电流为120A。
- **Technology**: 采用SGT（Super-Grain Technology）技术制造。
- **封装**: 使用TO263封装。

VBGL1103场效应晶体管适用于需要高性能、高可靠性的应用，包括电动工具、电源管理和工业控制等领域的模块设计。