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VBGJ1102N 产品详细

产品简介:

VBsemi VBGJ1102N为单N沟道场效应管(Single N),适用于需要紧凑封装、低功耗和可靠性能的领域和模块,如便携式电子设备、LED照明、工业控制和汽车电子等。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道场效应管(Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS): 100V
- 门源电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.8V
- 门源电压为4.5V时的导通电阻(mΩ): 23mΩ
- 门源电压为10V时的导通电阻(mΩ): 19.2mΩ
- 最大漏极电流(ID): 9.5A
- 技术特点: 表面网格沟槽(SGT)
封装: SOT223

领域和模块应用:

具体如下:

1. **便携式电子设备**:
由于VBGJ1102N封装紧凑且具有较低的漏极电流,适合用于便携式电子设备中的功率管理模块,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等,以提供高效的电源管理和节能功能。

2. **LED照明**:
在LED照明领域,该产品可用作LED驱动器模块的功率开关,以控制LED灯的亮度和效率,并提供可靠的电源供应。

3. **工业控制**:
在工业控制系统中,VBGJ1102N可用于各种电力电子模块,如变频器、交流电机驱动器和电源逆变器,以实现高效能量转换和精确的电力控制。

4. **汽车电子**:
由于其高电压和电流特性,该产品还适用于汽车电子模块,如车载电源管理、车载照明和车载娱乐系统中的功率开关,以满足汽车电子系统对高效能量转换和稳定性能的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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