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VBGF1101N 产品详细

产品简介:

VBGF1101N是一款采用SGT技术的单N沟道场效应晶体管,具有100V的耐压、78A的最大漏极电流和低门阈电压等特点。该器件适用于中等功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。

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产品参数:

参数:
- 类型:Single N
- VDS(耐压):100V
- VGS(门源电压,正负):±20V
- Vth(门阈电压):2.5V
- VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):9.5
- VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):7.2
- 最大漏极电流(ID):78A
- 技术:SGT(Smart Grid Technology 智能电网技术)
- 封装:TO251

领域和模块应用:

举例说明:
1. 智能电网系统:VBGF1101N可用于智能电网系统中的电能传输和分配模块,实现电网的智能监测和调节控制,提高电网的稳定性和安全性。
2. 新能源逆变器:在新能源逆变器中,VBGF1101N可用作逆变器模块的功率开关器件,实现太阳能或风能的电能转换和储能控制功能。
3. 工业控制系统:应用于工业控制系统中,VBGF1101N可用于电机驱动模块和电源管理模块,实现设备的高效能量转换和智能控制。
4. 灯光控制器:在灯光控制器中,VBGF1101N可用于LED驱动电路的功率开关控制,提供稳定的电源和可调光效果。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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