VBGE1606是一款单通道N沟道场效应晶体管，具有以下主要参数：
- **VDS(V)**: 标称漏极-源极电压为60V，适用于中低电压电路设计。
- **VGS(±V)**: 标称栅-源电压为±20V，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。
- **Vth(V)**: 阈值电压为2.5V，表明在此电压下晶体管开始导通，适用于多种应用场景。
- **VGS=10V(mΩ)**: 根据标准测试条件VGS=10V时的导通电阻为6.4mΩ，具有较低的导通电阻，可实现较小的导通损耗。
- **ID (A)**: 最大漏极电流为90A，适用于大电流负载应用。
- **Technology**: 采用SGT技术制造，具有较高的工作稳定性和可靠性。
- **封装**: 采用TO252封装，便于安装和散热。

VBGE1606适用于需要高性能功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、汽车电子模块和工业自动化模块等领域。