VBGE1402是一款单N沟道场效应晶体管，采用SGT技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。其主要参数包括：
- 额定漏极-源极电压（VDS）为40V，适用于中等功率应用。
- 最大栅极-源极电压（VGS）为20V，提供了较宽的工作范围。
- 阈值电压（Vth）为3V，适合于中等压控制电路。
- 在VGS=4.5V时的导通电阻为3.3mΩ，在VGS=10V时的导通电阻为2.4mΩ，具有较低的导通电阻，适用于高效能功率转换。
- 最大漏极电流（ID）为110A，具有中等功率处理能力。
- 采用SGT技术，具有优良的电气特性和可靠性。

VBGE1402适用于中等功率控制和驱动应用，包括电动车辆电池管理模块、工业高压电源模块、太阳能逆变器模块等领域。