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VBGE1156N 产品详细

产品简介:

VBGE1156N是VBsemi品牌推出的单N型功率场效应管,采用SGT技术制造,适用于各种中低功率的电力应用。该产品具有合适的漏极-源极电压和漏极电流,以及较低的阈值电压和漏极-源极电阻,可满足多种应用需求。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N型
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 150V
- 标称栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 59
- 额定漏极电流 (ID): 20A
- 技术: SGT
封装: TO252

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源适配器模块: 由于其中低功率特性,VBGE1156N适用于电源适配器模块中的开关电源和稳压电路,用于提供可靠的电力输出,支持各种家用电子产品的使用。
2. 工业控制模块: 在工业控制领域,VBGE1156N可用于PLC(可编程逻辑控制器)模块和驱动电路,以实现各种自动化生产设备的精准控制和稳定运行。
3. LED照明驱动模块: VBGE1156N可用于LED照明驱动模块中,控制LED灯珠的电流和亮度,提供高效的照明效果和长期稳定性,适用于各种室内和室外照明场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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