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VBGE1152N 产品详细

产品简介:

VBsemi VBGE1152N是一款单极N型MOSFET,具有150V的最大漏极-源极电压和45A的最大漏极电流。其特殊栅极结构(SGT)设计使其在高电压和高电流环境下表现出色。阈值电压为3V,且在10V的栅极电压下,具有约24mΩ的漏极-源极电阻,表现出良好的导通特性。

VBsemi VBGE1152N在电动工具、太阳能、电源管理和LED照明等领域的广泛应用,以及在这些应用中所扮演的角色。

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产品参数:

**参数:**
- 单极N型MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):150V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):24
- 最大漏极电流(ID):45A
- 技术:SGT(特殊栅极结构)
- 封装:TO252

领域和模块应用:


**应用简介:**
1. **电动工具模块:** VBsemi VBGE1152N适用于电动工具模块中,可用作功率开关器件,用于控制电动工具的启停和功率调节,提供高效、可靠的动力输出。

2. **太阳能充电控制器:** 在太阳能充电控制器中,VBsemi VBGE1152N可用作电源开关器件,用于控制充电电流和电池充放电过程,确保太阳能充电系统的稳定运行。

3. **电源管理模块:** 由于VBsemi VBGE1152N具有较高的漏极-源极电压和电流能力,适合用于电源管理模块中的开关电源、逆变器和变换器等电路中,提供可靠的功率开关功能。

4. **LED照明驱动器:** 在LED照明驱动器中,VBsemi VBGE1152N可用作功率开关器件,用于控制LED灯的亮度和灯光效果,提供高效的照明解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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