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VBGE1124N 产品详细

产品简介:

该器件为单通道N型MOS场效应管(Single N MOSFET),在需要高电压、高电流和高效率的应用中具有广泛的适用性,可用于各种电源、控制和驱动模块中。

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产品参数:

该产品型号为VBGE1124N,品牌为VBsemi,
参数如下:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):120V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):40
- 额定漏极电流(ID):25A
- 技术:SGT(Superjunction Gate Trench)
- 封装:TO252

领域和模块应用:


应用简介:

这种器件适用于多种领域和模块,例如:

1. **电源模块**:由于其高漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于开关电源和DC-DC变换器模块,可以提供稳定的电力转换和高效率。

2. **电动车充电模块**:具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,可用于电动车充电桩或电动车充电控制模块,以实现快速、安全的电动车充电。

3. **工业控制模块**:适用于工业自动化领域的电机控制模块,能够提供高效、可靠的电机控制和调节功能。

4. **照明模块**:由于其高电压和高电流能力,可用于LED驱动模块或照明系统,以实现高亮度和高效能的照明效果。

5. **太阳能逆变器模块**:可用于太阳能逆变器模块,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,以供电网或其他设备使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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