VBGE1121N - VBsemi MOS管制造商

VBGE1121N 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

- Single N: 单N沟道型器件
- VDS(V): 最大漏极-源极电压为120V，表示器件可以承受的最大工作电压。
- VGS(±V): 栅极-源极电压为正负20V，表示器件的栅极电压范围。
- Vth(V): 阈值电压为3V，表示器件的启动电压。
- VGS=4.5V(mΩ): 当栅极-源极电压为4.5V时，漏极-源极间的导通电阻为13mΩ。
- VGS=10V(mΩ): 当栅极-源极电压为10V时，漏极-源极间的导通电阻为11.5mΩ。
- ID (A): 最大漏极电流为60A，表示器件可以承受的最大漏极电流。
- Technology: 采用SGT技术，具有更高的性能和可靠性。
- 封装：TO252，适合用于散热的表面贴装封装。

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产品参数：

参数：
- Single N
- VDS(V): 120
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=4.5V(mΩ): 13
- VGS=10V(mΩ): 11.5
- ID (A): 60
- Technology: SGT
封装：TO252

领域和模块应用：

应用简介：
VBGE1121N适合用于以下领域和模块：
1. 电源模块：由于其高工作电压和大漏极电流，适用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块，提供高效的功率转换和稳定的输出。
2. 电动汽车控制：具有较低的导通电阻和高漏极电流，可用于电动汽车的电机控制、电池管理和充电系统模块。
3. 工业电机驱动：适用于工业电机控制、电动工具和机器人控制模块，提供可靠的功率开关和高性能的驱动功能。
4. 高频功率放大器：由于其快速开关特性和低导通电阻，适用于射频功率放大器、通信系统和雷达模块，提供稳定的功率输出和信号放大功能。
5. 电源逆变器：可应用于太阳能逆变器、UPS系统和电网稳定器，提供稳定的交流输出和电网接入功能。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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