该产品为单极性 N 型 MOSFET ，**详细参数说明：**
- **VDS（漏极-源极电压）：** 120V的额定电压使其适用于高电压应用。
- **VGS（门极-源极电压）：** ±20V的额定电压提供了广泛的控制范围。
- **Vth（阈值电压）：** 3V的阈值电压适用于一般开关应用。
- **VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻：** 10.7mΩ的导通电阻用于低功率应用或需要较低的导通损耗的场合。
- **VGS=10V时的漏极-源极导通电阻：** 8.8mΩ的导通电阻用于高功率应用或需要更高的输出功率的场合。
- **ID（最大漏极电流）：** 50A的额定电流适用于高功率应用。
- **技术：** 采用SGT（Superjunction Gate Trench）技术，提供了更低的导通电阻和更高的功率密度。
- **封装：** TO252封装适用于需要较小尺寸和散热性能的应用。