VBsemi的VBGE1105是一款Single N型场效应晶体管（FET），具有以下关键参数：
- 最大漏极-源极电压（VDS）为100V，适用于中等电压的应用。
- 最大门极-源极电压（VGS）为正负20V，具有较高的电压容忍度。
- 门极阈值电压（Vth）为3V，表明该器件具有较低的门控电压。
- 在VGS=4.5V时的导通电阻为7.7mΩ，在VGS=10V时的导通电阻为6mΩ，表现出较低的导通电阻。
- 最大漏极电流（ID）为85A，具有适中的电流承受能力。
- 采用SGT（Superjunction Gate Trench）技术，具有更低的导通电阻和更高的性能。
- 封装为TO252，适合于表面贴装技术。

VBGE1105适用于各种需要中等电压、中等电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。