VBGE1102N是VBsemi公司推出的一款单通道N沟道场效应管，具有以下特点和性能：
1. **高压耐受性**：额定电压（VDS）为100V，适用于需要较高电压耐受性的应用场合。
2. **宽电压范围**：栅极-源极电压（VGS）可达±20V，可适应不同的驱动电路要求。
3. **低阈值电压**：阈值电压（Vth）为1.8V，表明该器件在低电压下即可实现可靠的导通，有利于降低功耗。
4. **双档电阻设计**：栅极电压为4.5V时，漏极-源极电阻为26mΩ；栅极电压为10V时，漏极-源极电阻为21mΩ。具有较低的导通电阻，有利于提高效率和减小功耗。
5. **适中的漏极电流容量**：最大漏极电流（ID）可达35A，适用于中等功率负载的驱动。

VBGE1102N作为一款高性能的单通道N沟道场效应管，适用于电源模块、驱动模块、LED照明、电动工具等多种领域和模块，可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。