VBsemi的VBGE1101N是一款单通道 N 型功率MOSFET,适用于各种高性能电源和功率管理应用。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极电阻和高漏极电流能力,使其在多种领域中得到广泛应用。包括电源供应、电动汽车、工业驱动器和太阳能逆变器等,为各种模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
**参数:**
- 类型: 单通道 N 型
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 100V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.8V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 14.5
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 11.5
- 最大漏极电流 (ID): 55A
- 技术: SGT (Superjunction Gate-Triggered)
- 封装: TO252
**适用领域和模块:**
1. **电源供应模块:**
由于VBGE1101N具有高漏极电流和低漏极-源极电阻,因此非常适合用于设计高效率的开关电源供应模块。这种MOSFET在转换器和逆变器中起着关键作用,能够实现高功率密度和高效能转换。
2. **电动汽车充电器:**
由于VBGE1101N具有较高的漏极电流和较低的阈值电压,可在电动汽车充电器中实现高效的功率转换。其可靠性和性能使其成为电动汽车充电系统的理想选择。
3. **工业电机驱动器:**
在工业应用中,VBGE1101N可用于设计高性能的电机驱动器,以实现精确的电机控制和高效的能量转换。其低漏极-源极电阻确保了低功率损耗和高效率的运行。
4. **太阳能逆变器:**
作为太阳能逆变器中的开关元件,VBGE1101N可实现高效率的太阳能能量转换。其低阈值电压和高漏极电流使其能够在各种光照条件下提供稳定的性能。
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