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VBGA3153N 产品详细

产品简介:

VBGA3153N是一款双N+N沟道场效应管,其双N通道设计和可靠的技术特性能够实现稳定的电源输出和高效的能量转换,提供给电子设备可靠的电力支持。

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产品参数:

产品型号:VBGA3153N
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Dual N+N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极电阻(mΩ):30
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SGT
封装:SOP8

领域和模块应用:



该产品适用于以下领域和模块:

1. **电源管理模块**:
VBGA3153N适用于电源管理模块,例如用于笔记本电脑、手机和其他电子设备的电源管理电路。其双N通道设计和可靠的技术特性能够实现稳定的电源输出和高效的能量转换,提供给电子设备可靠的电力支持。

2. **LED照明控制**:
在LED照明系统中,VBGA3153N可用于控制LED驱动电路。其双N通道设计和高额定漏极-源极电压能力可以确保LED灯具的稳定工作和长寿命,提供高质量的照明效果。

3. **汽车电子系统**:
由于其稳定的性能和可靠的技术特性,VBGA3153N适用于汽车电子系统中的控制模块,如车灯控制、电动窗控制等。其高漏极电流和额定漏极-源极电压能力可以满足汽车电子系统对稳定性和可靠性的要求。

4. **工业控制设备**:
该型号MOSFET还适用于工业控制设备中的电力控制模块,如工业机器人、PLC控制器等。其双N通道设计和先进的SGT技术能够实现高效的电力控制和精确的动作控制,提高工业生产效率和自动化水平。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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