MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBGA1256N 产品详细

产品简介:

VBGA1256N是一款单N沟道场效应晶体管,具有250V的额定漏极-源极电压和5A的漏极电流。其性能特点使其适用于中功率的开关和控制应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

**参数说明:**
- 产品型号: VBGA1256N
- 品牌: VBsemi
- 类型: 单N沟道场效应晶体管 (Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS): 250V
- 栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极电阻: 60mΩ
- 漏极电流(ID): 5A
- 技术:SGT (Silicon-Germanium Trench)
- 封装:SOP8

领域和模块应用:

**示例应用场景及模块:**

1. **LED驱动模块:**
在LED驱动模块中,VBGA1256N可用作LED驱动器的开关,用于控制LED的亮度和开关状态。这在室内和室外照明系统中特别有用。

2. **电源管理模块:**
在电源管理模块中,VBGA1256N可用作开关电源的主要功率开关,用于控制电源的输出电压和电流。例如,在电源逆变器中,它可以控制逆变器的开关频率和输出功率。

3. **汽车电子模块:**
在汽车电子模块中,VBGA1256N可用作汽车电子设备的开关和控制器。例如,在车载充电器中,它可以控制充电器的电池充放电过程和输出功率。

4. **工业控制模块:**
在工业控制模块中,VBGA1256N可用于各种工业控制系统中的开关和驱动器。例如,在工业自动化设备中,它可以控制各种电动执行器和驱动器的动作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询