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VBFB2201K 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBFB2201K是一款单P通道功率MOSFET,具有-200V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-2.5V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为1200mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为1000mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-5A,采用Trench技术制造。

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产品参数:

**VBFB2201K**

**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 单位: P
- VDS(V): -200
- VGS(±V): 20
- Vth(V): -2.5
- VGS=4.5V(mΩ): 1200
- VGS=10V(mΩ): 1000
- ID (A): -5
- Technology: Trench

**封装:** TO251



领域和模块应用:

**应用简介:**
VBFB2201K适用于多种领域和模块,其中包括但不限于:
1. **电源管理模块:** 由于其负载特性和高电压容忍度,该MOSFET适用于电源管理模块,如DC-DC转换器和开关电源。它可以有效地调节和控制电源输出,提高整体系统效率。

2. **汽车电子模块:** 在汽车电子领域,VBFB2201K可用于电动汽车和内燃机汽车的电动驱动系统,包括电动机驱动器、电池管理系统和充电器。其高电压和高温容忍度使其能够在恶劣的汽车环境下可靠工作。

3. **工业自动化模块:** 该MOSFET还可用于工业自动化领域,例如工厂自动化控制系统和机器人控制模块。它能够承受工业环境中的高压和高温,并提供可靠的开关性能,从而实现精确的控制和操作。

4. **通信设备模块:** 在通信领域,VBFB2201K可用于电源管理模块、射频功率放大器和信号处理模块等设备中。其高性能和可靠性确保了通信设备的稳定运行和高效性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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