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VBFB2104N 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBFB2104N是一款单P通道功率MOSFET,具有-100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-2V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为37mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为33mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-40A,采用Trench技术制造。

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产品参数:

**VBFB2104N**

**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 单位: P
- VDS(V): -100
- VGS(±V): 20
- Vth(V): -2
- VGS=4.5V(mΩ): 37
- VGS=10V(mΩ): 33
- ID (A): -40
- Technology: Trench

**封装:** TO251

领域和模块应用:

**应用简介:**
VBFB2104N适用于多种领域和模块,其中包括但不限于:
1. **电动汽车驱动系统:** 由于其高漏极电流和低导通电阻,该MOSFET非常适用于电动汽车的电机驱动系统。它可以提供高效率的电力转换和可靠的动力输出,从而实现电动汽车的高性能和长续航里程。

2. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电领域,VBFB2104N可用于太阳能逆变器模块,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其低导通电阻和高功率特性有助于提高逆变器的转换效率和稳定性。

3. **工业控制系统:** 该MOSFET还适用于工业控制系统中的功率开关模块,如工业UPS、变频器和电动机控制器。其高电压容忍度和高漏极电流使其能够承受工业环境中的高负载和频繁的开关操作。

4. **电源管理模块:** 在电源管理领域,VBFB2104N可用于各种电源管理模块,如DC-DC转换器、开关电源和稳压器。其高性能和可靠性有助于提高电源管理系统的效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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