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VBFB19R07S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBFB19R07S是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO251。该产品具有高压耐受能力和低导通电阻,适用于多种功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBFB19R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):900V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):950
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:VBFB19R07S适用于工业电源模块,如电机驱动器、UPS系统等,提供稳定的电力输出。
2. 高压直流输电系统:用于直流输电系统中的功率开关模块,实现高压直流电的输送和转换。
3. 医疗设备:在医疗设备中,该器件可用于医疗成像设备、手术器械等模块中,提供可靠的电力支持。
4. 汽车电动化系统:在汽车电动化领域,VBFB19R07S可用于电动汽车的电动驱动系统中,如电机控制器、电池管理系统等。
5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该器件可用于将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电,用于家庭和工业用电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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