MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBFB19R05S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBFB19R05S是一款单N沟道场效应晶体管产品,具有900V的漏极-源极电压(VDS),5A的漏极电流(ID),并采用了SJ_Multi-EPI技术。该产品封装为TO251,适用于多种应用场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):900V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1500mΩ
- 漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 太阳能逆变器:VBFB19R05S适用于太阳能逆变器模块,用于太阳能电能的转换和输出,如家庭和商业太阳能发电系统。
2. 工业电机控制:在工业自动化领域,该产品可用于电机控制模块,实现工业设备的精确控制和调节。
3. 电动汽车充电控制:该产品可用于电动汽车充电控制模块,实现电动汽车的充电管理和控制,提高充电效率和安全性。
4. LED照明驱动:在LED照明领域,VBFB19R05S可用于LED驱动电路,提供稳定的电流输出,用于各种室内和室外LED照明设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询