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VBFB195R03 产品详细

产品简介:

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VBsemi 的 VBFB195R03 是一款单 N 型场效应晶体管,具有 950V 的漏极-源极电压(VDS)、30V 的栅极-源极电压(VGS)、3.5V 的阈值电压(Vth),以及 3A 的漏极电流(ID)。采用 Plannar 技术制造,封装为 TO251。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBFB195R03
- 类型:单 N 型场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):950V
- VGS(栅极-源极电压):30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻:5400 mΩ
- 最大漏极电流(ID):3A
- 技术:Plannar
- 封装:TO251

领域和模块应用:




应用示例:
1. 电源逆变器:适用于工业和家用逆变器中的功率开关模块。
2. 太阳能充电控制器:用于太阳能电池板充电控制器的功率调节单元。
3. LED 照明系统:适用于高压 LED 驱动电路中的电源管理模块。
4. 汽车电子系统:用于汽车电动化系统中的电源开关和控制模块。
5. 工业自动化设备:适用于各种工业自动化设备中的电源控制和调节单元。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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