VBFB18R07S - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi的VBFB18R07S是一款单N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有高性能和可靠性。它采用了SJ_Multi-EPI技术，封装为TO251，适用于各种应用场景。

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBFB18R07S
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应晶体管（MOSFET）
- 最大漏极-源极电压（VDS）：800V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：850
- 最大漏极电流（ID）：7A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO251

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 电动汽车充电桩：VBFB18R07S的高漏极-源极电压和漏极电流使其适用于电动汽车充电桩中的电源开关模块。
2. 太阳能逆变器：由于其高性能和可靠性，可用于太阳能逆变器中的功率开关模块，帮助将太阳能转换为可用的交流电能。
3. 工业电源模块：在工业领域，该器件可用于设计工业电源模块，以满足工厂和设备对于高电压和高功率的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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MOSFET

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