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VBFB18R07S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBFB18R07S是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有高性能和可靠性。它采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO251,适用于各种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBFB18R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 最大漏极-源极电压(VDS):800V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):850
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电动汽车充电桩:VBFB18R07S的高漏极-源极电压和漏极电流使其适用于电动汽车充电桩中的电源开关模块。
2. 太阳能逆变器:由于其高性能和可靠性,可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,帮助将太阳能转换为可用的交流电能。
3. 工业电源模块:在工业领域,该器件可用于设计工业电源模块,以满足工厂和设备对于高电压和高功率的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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