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VBFB18R06SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBFB18R06SE是一款Single N型场效应晶体管,采用SJ_Deep-Trench技术制造。它具有高达800V的漏极-源极电压(VDS),并支持最大30V的门极-源极电压(VGS)。此外,它的门极阈值电压(Vth)为3.5V,漏极-源极电压为10V时的导通电阻为750mΩ,最大漏极电流(ID)为6A。该产品封装为TO251。

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产品参数:

详细参数说明:

- 型号:VBFB18R06SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N型场效应晶体管
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:750mΩ
- 最大漏极电流(ID):6A
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块:

该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理模块:由于具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻,适用于设计高压电源开关电路。
2. 电动汽车充电器:其高漏极-源极电压和较大的漏极电流使其成为电动汽车充电器中的关键元件,能够承受高电压和电流。
3. 工业控制系统:可用于工业控制系统中的功率开关电路,实现精确的电气控制。
4. LED照明驱动器:通过控制LED灯的电流,可以在LED照明驱动器中实现高效能的功率调节。

这些只是一些示例,实际上该产品还可能适用于许多其他领域和模块,具体取决于其技术参数和应用需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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