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VBFB18R05SE 产品详细

产品简介:

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VBFB18R05SE是VBsemi生产的单N沟道MOSFET,具有800V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO251。该产品具有高性能和可靠性,适用于各种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:

- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1000mΩ
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业电源模块:由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,VBFB18R05SE可用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
2. 电动汽车充电桩:具有高漏极-源极电压和较高的导通电阻,适用于电动汽车充电桩中的功率开关和控制电路。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率开关和直流-交流转换器,以实现太阳能电能的有效利用。
4. LED照明:在LED照明应用中,VBFB18R05SE可用于LED驱动电路中的功率开关和调光控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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