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VBFB18R02S 产品详细

产品简介:

一、产品简介:
VBsemi品牌的VBFB18R02S型号是一款单N沟道MOSFET功率器件。该器件具有800V的漏极-源极电压(VDS),30V的门源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),以及2A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO251。

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产品参数:

二、详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的漏极-源极电阻(mΩ):2600
- 漏极电流(ID):2A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO251

领域和模块应用:



三、应用领域举例:
1. 工业电源模块:由于VBFB18R02S具有800V的漏极-源极电压和2A的漏极电流,适用于工业电源模块中的功率开关和调节器。
2. 太阳能逆变器:该器件的高电压和电流能力使其成为太阳能逆变器中用于电源转换和功率控制的理想选择。
3. 电动汽车充电桩:VBFB18R02S的高性能特性使其适用于电动汽车充电桩中的功率开关和电流控制器,确保充电过程的稳定性和效率。
4. LED照明系统:作为高压MOSFET器件,VBFB18R02S可用于LED照明系统中的功率调节和开关,提高系统的能效和稳定性。

以上是VBFB18R02S产品在不同领域和模块中的部分应用示例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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