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VBFB185R07 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBFB185R07是一款单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术,封装为TO251。该产品具有高压耐受能力和适中的导通电阻,适用于多种功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBFB185R07
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):850V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):1700
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:Plannar
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源模块:VBFB185R07可用于各种电源模块,如开关电源、逆变器等,用于工业和消费电子产品的电源供应。
2. 电动汽车电池管理系统:在电动汽车中,该器件可用于电池管理系统中的电力控制和保护,确保电池安全可靠。
3. 风力发电系统:用于风力发电系统中的功率转换模块,将风力发电机输出的直流电转换为交流电,供给家庭和工业用电。
4. 工业自动化设备:VBFB185R07可用于各种工业自动化设备中的功率控制模块和电源模块,提高设备的性能和稳定性。
5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该器件可用于转换太阳能电池板输出的直流电为交流电,用于家庭和工业用电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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