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VBFB185R06 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBFB185R06是一款单N沟道功率MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门-源电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术制造,封装为TO251。该产品适用于各种功率电子应用,具有可靠性和高效能量转换特性。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBFB185R06
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):850V
- 门-源电压(VGS):30V(正负)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1700
- 最大漏极电流(ID):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源适配器:由于其适中的漏极电流和高漏极-源极电压,VBFB185R06适用于各种电源适配器,如笔记本电脑充电器、手机充电器等。
2. LED驱动器:在LED照明系统中,该产品可用于LED驱动器的输出端,实现LED灯珠的高效控制和调光。
3. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,VBFB185R06可用于驱动电动汽车的电机、控制发电机等高功率电子模块。
4. 工业控制系统:在工业自动化领域,该MOSFET可用于各种电机驱动和功率开关应用,如工厂自动化设备、机械臂等。
5. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的功率开关元件,VBFB185R06可以实现太阳能电能的高效转换和输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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