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VBFB185R05 产品详细

产品简介:

产品简介:
型号:VBFB185R05
品牌:VBsemi
封装:TO251
特点:单N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术,具有850V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),最大持续漏极电流5A(ID),低通态电阻为2200mΩ(VGS=10V)。

VBFB185R05产品在电源管理、照明、家用电器和医疗设备等领域的广泛应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 晶体管类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏源电压(VDS):850V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 低通态电阻(VGS=10V):2200mΩ
- 最大持续漏极电流(ID):5A
- 技术:采用Plannar技术

领域和模块应用:

产品应用:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理:由于具有较高的漏源电压和适中的持续漏极电流,适用于电源管理模块,如稳压器和开关电源。
2. LED驱动器:可用于LED照明驱动器模块,提供稳定的电流输出,驱动LED灯具。
3. 家用电器:适用于家用电器模块,如电磁炉和空调驱动器,提供可靠的功率输出。
4. 医疗设备:可用于医疗设备模块,如医疗电源和电动医疗设备的驱动器,确保设备工作稳定可靠。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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