产品参数:
**产品型号:** VBFB1806
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- **Single N**: 单通道 N 型 MOSFET
- **VDS(V)**: 饱和漏源电压 80V
- **VGS(±V)**: 标准门源电压范围 ±20V
- **Vth(V)**: 阈值电压 3V
- **VGS=4.5V(mΩ)**: 门源电压为 4.5V 时的漏极-源极导通电阻 9mΩ
- **VGS=10V(mΩ)**: 门源电压为 10V 时的漏极-源极导通电阻 6mΩ
- **ID (A)**: 最大漏极电流 75A
- **Technology:** Trench 沟道技术
- **封装:** TO251
领域和模块应用:
**应用简介及示例:**
1. **电源模块应用:**
由于 VBFB1806 具有较高的饱和漏源电压和漏极电流能力,适合用于电源模块中的开关电路。例如,它可以用作开关电源中的功率开关器件,提供稳定的电源输出,并具有较低的导通损耗,使电源模块具有高效率和可靠性。
2. **电机驱动器应用:**
在电机驱动器中,VBFB1806 可以作为电机控制电路中的开关器件,用于控制电机的启停和速度调节。其高漏极电流能力和低导通电阻可确保电机驱动器具有较高的功率密度和响应速度,适用于各种电机驱动应用,如电动车控制、工业机械驱动等。
3. **电源管理模块应用:**
在电源管理模块中,VBFB1806 可用作电源开关、稳压器等电路中的关键器件,用于实现电源管理和稳定输出。其高饱和漏源电压和低导通电阻特性有助于提高电源管理模块的效率和稳定性,适用于各种电子设备的电源管理需求,如笔记本电脑、通信设备等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性