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VBFB17R08SE 产品详细

产品简介:

产品简介:

VBsemi公司推出的VBFB17R08SE是一款Single N型MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品采用SJ_Deep-Trench技术,具有700V的漏极-源极电压(VDS),8A的漏极电流(ID),并且在VGS=10V时具有低至540mΩ的导通电阻。该产品封装为TO251,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBFB17R08SE
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Single N
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:540mΩ
- ID(漏极电流):8A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业电源模块:由于VBFB17R08SE具有高漏极电压和低导通电阻,适用于工业电源模块中作为开关管,提供稳定的电源输出。
2. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器中,需要具备高电压和高电流承受能力的MOSFET,VBFB17R08SE可以胜任这样的应用场合,保障充电器的高效稳定工作。
3. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的关键元件,VBFB17R08SE能够承受高压和高电流,有效提高逆变器的转换效率和稳定性。
4. 电源管理模块:在各类电源管理模块中,如DC-DC转换器和AC-DC变换器中,VBFB17R08SE可作为开关管,实现电源的高效转换和管理。

这些领域和模块都需要具备高性能和可靠性的功率器件来确保系统的正常运行,而VBFB17R08SE正是满足这些需求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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