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VBFB17R05S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBFB17R05S 是由 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET。该产品设计用于各种需要高性能和可靠性的应用场合。具有 700V 的 VDS 评级和 5A 的连续漏极电流(ID),采用 SJ_Multi-EPI 技术,确保在各种环境下的稳定和可靠性。
产品型号:VBFB17R05S
品牌:VBsemi
参数:Single N
VDS(V):700
VGS(±V):30
Vth(V):3.5
VGS=10V(mΩ):1000
ID (A):5
Technology:SJ_Multi-EPI
封装:TO251

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(V):漏极-源极电压 - 700V
- VGS(±V):栅极-源极电压(±) - 30V
- Vth(V):阈值电压 - 3.5V
- VGS=10V(mΩ):在 VGS=10V 时的导通电阻 - 1000 mΩ
- ID (A):连续漏极电流 - 5A
- Technology:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用场景:
VBFB17R05S MOSFET 适用于多个领域和模块,以下是一些示例:
- 电源转换器:用于各种类型的电源转换器和逆变器,如开关电源、UPS 电源和太阳能逆变器。
- 电机驱动:适用于各种电机驱动应用,包括电动汽车驱动、工业机械和家用电器。
- 照明控制:可用于 LED 照明控制器、照明系统和景观照明。
- 汽车电子:应用于汽车电池管理、电动汽车充电系统和车辆动力管理。
- 工业自动化:用于各种工业自动化系统和控制器,包括机器人、PLC 和工厂自动化设备。

VBFB17R05S MOSFET 具有稳定的性能和可靠性,适用于多种领域和模块,是工程师们的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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