VBFB17R04SE - VBsemi MOS管制造商

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VBFB17R04SE是VBsemi品牌的单N沟道场效应管，具有700V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），以及3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用SJ_Deep-Trench技术，封装为TO251。其主要特点是具有1100mΩ的导通电阻（在VGS=10V时）和4A的漏极电流（ID）。

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产品参数：

详细参数说明：
- 型号：VBFB17R04SE
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应管
- 漏极-源极电压（VDS）：700V
- 栅极-源极电压（VGS）：30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（VGS=10V时）：1100mΩ
- 漏极电流（ID）：4A
- 技术：SJ_Deep-Trench
- 封装：TO251

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. LED照明：由于VBFB17R04SE具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻，适用于LED照明驱动电路中的开关电源和逆变器，以实现高效率的LED照明。
2. 低功耗电源：产品的低漏极电流和封装形式适合于低功耗电源模块，例如便携式电子设备和无线传感器网络中的电源管理电路。
3. 汽车电子：在汽车电子领域，VBFB17R04SE可以用于车载电源转换器和驱动器，以提供稳定的电源和电机控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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