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VBFB17R04SE 产品详细

产品简介:

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VBFB17R04SE是VBsemi品牌的单N沟道场效应管,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO251。其主要特点是具有1100mΩ的导通电阻(在VGS=10V时)和4A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBFB17R04SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V时):1100mΩ
- 漏极电流(ID):4A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. LED照明:由于VBFB17R04SE具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻,适用于LED照明驱动电路中的开关电源和逆变器,以实现高效率的LED照明。
2. 低功耗电源:产品的低漏极电流和封装形式适合于低功耗电源模块,例如便携式电子设备和无线传感器网络中的电源管理电路。
3. 汽车电子:在汽车电子领域,VBFB17R04SE可以用于车载电源转换器和驱动器,以提供稳定的电源和电机控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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