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VBFB17R04 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBFB17R04是一款单N沟道功率MOSFET,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,正负值),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术,封装为TO251。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门-源电压(VGS,正负值):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻:3250mΩ
- VGS=10V时的导通电阻:2600mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源适配器:VBFB17R04具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,适用于设计各种类型的电源适配器,如笔记本电脑充电器、手机充电器等。
2. 照明LED驱动器:在LED照明系统中,需要高效的功率MOSFET来驱动LED,VBFB17R04可用于设计LED驱动器,提供稳定的电流输出。
3. 电动工具控制模块:由于VBFB17R04具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,可用于设计电动工具的功率控制模块,如电动钻、电动锤等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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