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VBFB16R10S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi 的 VBFB16R10S 是一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压应用。该产品具有优异的导通特性和耐压能力,适用于各种电源和开关电路。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBFB16R10S
- 类型:单 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):600V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为 10V 时的导通电阻(mΩ):450
- 最大漏极电流(ID):10A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO251

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源模块:由于 VBFB16R10S 具有较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流,适合用于设计高性能的开关电源和逆变器模块。
2. 电动汽车充电桩:其耐压能力和导通特性使其成为电动汽车充电桩中关键的功率器件,确保高效率和稳定性。
3. 工业控制系统:在需要承受高电压和大电流的工业控制系统中,VBFB16R10S 可作为开关器件,提供可靠的性能和长期稳定性。
4. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率转换和控制电路,提供高效率和可靠性的能量转换解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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