VBFB16R08SE - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

产品简介：VBsemi的VBFB16R08SE是一款TO251封装的N沟道场效应晶体管，采用SJ_Deep-Trench技术制造。它具有600V的漏极-源极电压（VDS），8A的漏极电流（ID），30V的门源电压（VGS），3.5V的门阈电压（Vth），以及460mΩ的导通电阻（VGS=10V）。这款产品适用于低功率应用场合。

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产品参数：

详细参数说明：
- 电压参数：VDS（漏极-源极电压）为600V，VGS（门源电压）为±30V，Vth（门阈电压）为3.5V。
- 电流参数：ID（漏极电流）为8A。
- 技术特性：采用SJ_Deep-Trench技术。
- 导通电阻：在VGS=10V时为460mΩ。
- 封装：TO251。

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 小型家电控制器：适用于低功率的家电控制器，如电磁炉、微波炉等。
2. 低功率电源模块：用于低功率的电源模块，如笔记本电脑充电器、移动电源等。
3. 电动工具驱动器：在低功率的电动工具中，可用于驱动电动螺丝刀、电动扳手等。
4. 汽车电子辅助模块：用于汽车电子系统中的低功率辅助模块，如车内照明、车载音响等。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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