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VBFB16R07S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBFB16R07S是VBsemi品牌推出的单N沟道场效应晶体管,具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有稳定性和可靠性。封装形式为TO251。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):650
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源逆变模块:由于VBFB16R07S具有较高的漏极-源极电压和导通电流,适用于电源逆变模块,如UPS电源、逆变焊机等。
2. 电动车电机驱动器:该产品的高电压和高电流特性使其适用于电动车电机驱动器中的功率开关模块,实现电动车的高效动力输出。
3. 电池管理系统:VBFB16R07S可用于电池管理系统中的充放电控制模块,实现对电池充放电过程的精确控制和保护。
4. 太阳能逆变器:该产品适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,能够实现太阳能发电系统的稳定运行和高效转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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