VBFB16R05S - VBsemi MOS管制造商

VBFB16R05S 产品详细

产品简介：VBsemi的VBMB16R05S型号是一款单N沟道MOSFET，具有600V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），以及3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装为TO220F。

详细参数说明：
- VDS（漏极-源极电压）：600V
- VGS（栅极-源极电压）：±30V
- Vth（阈值电压）：3.5V
- VGS=10V时的导通电阻：850mΩ
- 最大漏极电流（ID）：5A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO220F

适用领域和模块示例：
- 电源模块：适用于低功率的电源模块，如小型直流电源和开关电源。
- LED驱动器：可用于LED驱动器中的功率开关模块，以实现LED灯具的高效驱动和控制。
- 电动工具：适用于电动工具中的电源开关模块，如电动钻和电锤，以实现高效的电机驱动和控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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