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VBFB16R05 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBFB16R05是一款单N沟道MOSFET,具有高性能和可靠性。采用平面工艺技术制造,适用于各种电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBFB16R05
- MOSFET类型:单N沟道
- 额定漏极-源极电压(VDS):600V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):1000
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):800
- 最大漏极电流(ID):6.2A
- 工艺技术:平面工艺
- 封装:TO251

领域和模块应用:





适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:VBFB16R05的高额定漏极-源极电压和低漏极-源极电阻使其适用于工业电源模块,用于变流器和逆变器的设计。
2. 汽车电子系统:由于其高性能和可靠性,VBFB16R05可用于汽车电子系统中的电动车辆充电器和驱动器。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBFB16R05可以用作开关管,用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电以供电网使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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