VBFB16R05 - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi的VBFB16R05是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用平面工艺技术制造，适用于各种电子应用领域。

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产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：VBFB16R05
- MOSFET类型：单N沟道
- 额定漏极-源极电压（VDS）：600V
- 标准门源电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：2.5V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻（mΩ）：1000
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：800
- 最大漏极电流（ID）：6.2A
- 工艺技术：平面工艺
- 封装：TO251

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
1. 工业电源模块：VBFB16R05的高额定漏极-源极电压和低漏极-源极电阻使其适用于工业电源模块，用于变流器和逆变器的设计。
2. 汽车电子系统：由于其高性能和可靠性，VBFB16R05可用于汽车电子系统中的电动车辆充电器和驱动器。
3. 太阳能逆变器：在太阳能逆变器中，VBFB16R05可以用作开关管，用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电以供电网使用。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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