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VBFB16R02 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBFB16R02是一款单N沟道功率MOSFET,具有优异的性能和可靠性。采用Plannar技术,适用于各种电源和功率控制应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBFB16R02
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO251
- 单N沟道功率MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):600V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻:3400 mΩ
- VGS=10V时的导通电阻:2720 mΩ
- ID(漏极电流):2A

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 工业电源:VBFB16R02可用于工业电源模块,提供高效稳定的功率转换。
2. 汽车电子:在汽车电子模块中,VBFB16R02可用于电动车辆充电器或电池管理系统。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器模块,实现太阳能电能的转换和输送。
4. LED照明:用于LED照明驱动模块,提供高效的电源管理和亮度控制。
5. 工业自动化:在工业自动化设备中,VBFB16R02可用于电机驱动器或机器人控制系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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