VBFB16R01 - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi的VBFB16R01型号是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用Plannar技术制造，适用于各种应用场合。封装为TO251，易于安装和使用。

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产品参数：

详细参数说明：
- VDS(V): 600V
- VGS(±V): ±30V
- Vth(V): 3.5V
- 在VGS=4.5V时，漏极-源极电阻为8000mΩ
- 在VGS=10V时，漏极-源极电阻为6400mΩ
- 最大漏极电流ID为1A

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
1. 工业电源模块：由于VBFB16R01具有高电压和低漏极电流特性，可用于工业电源中的电流控制模块。
2. 照明控制器：该MOSFET适用于LED照明系统中的电流控制器，可以帮助实现照明系统的高效能和稳定性。
3. 电动汽车充电桩：VBFB16R01的高电压和低漏极电阻使其成为电动汽车充电桩中的主要组件，有助于提高充电效率和安全性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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