VBFB165R11S - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi品牌的VBFB165R11S型号是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装为TO251，适用于各种电源和功率控制应用。

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产品参数：

详细参数说明：
- VDS(V): 650V
- VGS(±V): ±30V
- Vth(V): 3.5V
- 在VGS=10V时，漏极-源极电阻为370mΩ
- 最大漏极电流ID为11A

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
1. 电源逆变器：VBFB165R11S适用于电源逆变器中的功率开关模块，有助于提高逆变器的效率和稳定性。
2. 汽车电子：该MOSFET可用于汽车电子系统中的电动汽车充电桩，能够提供可靠的功率输出，支持电动汽车的快速充电。
3. 太阳能光伏系统：VBFB165R11S适用于太阳能光伏系统中的直流到交流逆变器模块，有助于提高光伏系统的能源转换效率。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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